BamDumLum wrote:
不是單核啦單核突破...(恕刪)
拍謝拉，我看英文字幕寫
a cord sixteen thread....
沒注意到後面....
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1. 現場展示的CPU已經「能實機展示」了，以TSMC的能力代表下半年上市不是空話
2. 現場展示9系列等級產品還只是工程樣品、也尚未優化，8 core /75W；而實際上市的預告是會來到16 core/135W，這也不會有什麼問題
3. 8 core就已經能小贏9900K，更別說實際產品Ryzen 9 3850X的16C/32T/135W，$499美元帶來的輾壓
4. 市場公認Intel 10nm的技術應該還是優於TSMC 7nm，但Intel 10nm產品要到年末，但礙於能無法供給零售市場
換言之；端看AMD有無能力在Intel的空窗再搶下更多零售市佔、以及OEM/商用市佔
5. 對於外行人、看門道的我，期待兩家競爭對市場端帶來的效益：更便宜的產品、更強大的效能。光是Ryzen 3 3300G就有6C/12T/$129，能不期待嗎? 這兩年AMD對INTEL帶來的壓力，迫使INTEL擠出更多牙膏，光是第八代i Core就提升很多效能了、以及接下來這年的CES就端出更多牛肉，對A/I家消費者都是好事
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taco_clement wrote:
外行人看熱鬧，內行...
4. 市場公認Intel 10nm的技術應該還是優於TSMC 7nm，但Intel 10nm產品要到年末，但礙於能無法供給零售市場
換言之；端看AMD有無能力在Intel的空窗再搶下更多零售市佔、以及OEM/商用市佔
(恕刪)
Intel的10nm的電晶體個尺寸還是比TSMC 7nm的小
況且Intel還導入新製程
Cu製程用銅當導線,但是銅離子的擴散係數高，容易鑽入介電或是矽材
料中，導致IC 的電性飄移以及製程腔體遭到污染，難以控制!
解決方式為沉積一層薄的阻擋層(Barrier)與襯墊層(Liner)，之後再將銅回填，防止銅離子擴散
以前14nm製程與TSMC的製程
阻擋層的主要材料是氮化鉭(TaN)，並在阻擋層之上再沉積襯墊層鉭(Ta)。
然而，鉭沉積的覆蓋均勻性不佳，容易造成導線溝槽的堵塞
Intel在新製程使用鈷(Cobalt，Co)與釕(Ruthenium，Ru)。鈷是相當不錯的襯墊層，
具有比鉭更低的電阻率，對銅而言是亦是不錯的黏著層，且在電鍍銅時具有連續性，不容易造成孔洞現象出現。但鈷襯墊層也有其不理想之處，主要是因為銅的腐蝕電位高於鈷，因此在銅、鈷的接觸面上，容易造成鈷的腐蝕，此現象稱為電流腐蝕(Galvanic Corrosion)，亦稱為伽凡尼腐蝕。
Intel據說在Cobalt卡關~
接著在7 奈米，阻擋層與襯墊層的候選材料將有可能是釕，銅可以直接在釕上電鍍，並有效阻
擋銅離子對介電層的擴散。
不過，釕跟鈷在與銅接觸時，一樣都會有電流腐蝕問題，只是釕的情況與鈷恰巧相反，釕的腐蝕電位高於銅，因此銅金屬將會被腐蝕。另外，釕的硬度相當高，且化學性質穩定，不容易與其它化學成份反應，只有使用類似像過碘酸鉀(KIO4)這種強氧化劑(過去是使用雙氧水作為氧化劑)才可使其氧化，以提高研磨率(大約100∼150A/min)。釕的物理與化學特性，為化學機械研磨製程帶來不小的挑戰，目前業界還在尋找適當的解決辦法。
TSMC可能還在使用傳統的做法所以比較快能量產吧...
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