abso0408 wrote:
錯的離譜http:...(恕刪)
大大真高手.
我補充一下. ADC 做完之後.Sensor 才能發 data ready 的信號給 MCU .
這時候 MCU 才能發 指令 讓sensor 傳 RAW data 給 MCU
MCU 在做後續的套色和壓縮演算
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abso0408 wrote:
.IC中沒有光速這個東西，:...(恕刪)
感謝指教, 在下材疏學淺,
有錯就想向達人學習
我討論的不是IC理面, 是講CMOS傳輸到影像IC之間的導線
我提到光速, 想講導線內的電場與磁場的傳遞速度, 應該接近光速
不是導線內傳遞光子,
國中生應該也知道導線內不傳遞光子吧, 我也沒分析IC內
已經講過了, 用光是不妥
讓你看成IC裡面在傳遞光子
本來就沒有這意思
大概懂一點點你講的
傳輸速度的關鍵在IC內部各件的連繫運作上,
如閘開關是資料傳輸速度的關鍵
我只看最初的電場磁場, 經導線到達影像IC就算, 真是不妥
忽略了它們須持續一段不小時間去等待累積
閘開關才會對電位差與電流做反應(達到門檻)
光是類比數位轉換器ADC就要花一段時間
所以CMOS傳輸到影像IC之間的導線的長度
可忽略
我忽略IC內,只看CMOS傳輸到影像IC之間的導線,
是本末倒置
以上有誤請指正
除了指正之外
想請您回到當初問題 (因為這問題才有這麼高大樓)
帶大家解惑
(當初是為了解決此問題才po文的)
1cm見方大的IC, 與結構相同等比例放大到1公尺大的IC
CMOS傳輸到影像IC之間的導線的長度
1cm CMOS傳輸到影像IC之間的導線的平均長度1.5公分,
1公尺大 CMOS傳輸到影像IC之間的導線的平均長度1公尺大的IC
若電壓電流皆是最佳運作狀態的大小
此時
那您認為傳輸速度上1cm CMOS vs 1公尺大 CMOS 傳輸到影像IC速度誰快?
是否真的可忽略CMOS傳輸到影像IC之間的導線的長度的比較?
希望您能向大家回答
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abso0408 wrote:
金屬導線訊號傳輸速度真的遠小於光速...(恕刪)
了解, 我誤解了傳輸速率的決定因素gate delay
但沒誤解金屬導線中的電場與磁場傳遞速度, 很接近光速
這是普通物理學
雖然這不是資料傳遞速度最大決定因素,
台積電一直在跟三星拼最先進的製程, 把gate, wire縮小
以前一直以為是因為線越長, 跑越慢
照你說法
增加傳輸速率,
減少Gate delay重要性
大於減少wire delay
問的外行問題
請問製程變小
造就傳輸速度加快的主要功勞gate delay縮小
除了Gate 縮小,有助gate delay縮小
採用最新設計也是
wire對gate delay影響為何?
是wire變細變短的, 造就了電流電壓的縮小,
成為造就了 Gate delay減少的大功臣?
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abso0408 wrote:
又錯,電磁波無法穿透金屬,有skin depth ，越高頻越薄， 就是所謂的金屬屏蔽作用。在金屬導線中訊號是靠電流，也就是電子飄移的群速度。...(恕刪)
不對喔
根據百度知道
一般而言所谓电的传导速度指的是电压的传导速度，而不是电子在介质中的传导速度。
所以訊號傳導速度是電壓傳遞速度, 不是電子飄移的群速度(慢到不行)
在導體中, 「電子本身的移動速度」和「電壓的傳導速度」是不一樣的.
如同煞車油管中的「油分子本身的移動速度」和「油壓的傳導速度」不一樣. 因為你腳一踩, 煞車皮就幾乎立刻受壓了. 但油分子本身, 並沒從油管的一端, 流到另一端. Why? 因為管中本來就滿油, 所以會幾乎立刻擠壓另一端. 導體亦是如此.
導線中沒有電磁波, 我錯了要更正, 電磁波是時變電場與磁場, 導線內沒有
但是有恆定電場,
電壓傳遞速度, 就是電場傳遞速度
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