跑分結果三星A9 66000點台積電A9 59000點 (韓國用戶指稱)

gouki201 · 2015-09-30T21:23:58+08:00

詳細的測試文章目前還搜尋不到任何資料,不過韓國用戶以下發言提出跑分差異存在http://www.ppomppu.co.kr/zboard/view.php?id=phone&no=3099315삼성A9 벤치점수 66000 tsmc A9 59000점三星A9 Benchmark 66000 tsmc A9 59000分실제로 벤치점수차이도 7000점정도 난다고하네요實際跑分也有7000分左右差別呢여러개 구입해서 뽑기 성공한거 빼고 파는 사람도 나올듯...買好幾台抽獎, 抽沒中再拿出來賣的人也會出現的樣子...--전 공홈에서 언락사서 최고 제품나올때까지 환불하고 다시구매하고 환불하고 해야겟네요--我要在官方店裡直到出現最好的產品為止一直重買一直退貨才行了.----애플 공홈은 묻지마 환불이 된다던가 그렇다고 했죠? 엄청난 반품 교환 사태가 일어나겠네요.----蘋果官方確認是可以無條件退貨的吧? 看來會出現非常大的退貨交換潮了.어쩐지 여기 유저 한 분이 벤치 점수 차이가 고정적으로 난다고 의문이라는 글 올렸던데...難怪這裡有個用家一直PO文說自己的跑分結果始終有差異...--저도봤습니다. 이글 보니 이해가 가네요..--我也看到了. 看到這文章現在可理解了..이거 클리앙에서 같은 기기로 6번 돌려서 어쩌다 한 번 66000점 뜨고 그랬다는데요這在其他網站測試上測了六次才出現一次66000點吧?--다시 보니 6번은 아니고 4번 돌렸군요. 스로틀링이 걸리냐 안 걸리냐 차이라던데..再看了一次不是六次是四次呀. 因為有沒有過熱限速產生的差異的樣子..tsmc인분도 66000점 나온다는데요?似乎有人拿到TSMC也說可以到66000分?공정 차이로 성능 차이 느끼긴 힘들어요. 발열과 전력소모에서 차이가 나겠죠工藝不同造成的性能差異很難感覺到的. 發熱跟電力消耗才會出現差異.--그 발열 때문에 쓰로틀링 걸리는 시점이 달라지고 그건 성능차이를 유발하죠--因為發熱差異產生的過熱限速的時間點不同才會產生效能差別嘍.----솔직히 20나노같은 16나노랑 그냥 14나노랑은 차이가 안날수 없을거 같네요----說實在像是20nm般的16nm跟一般的14nm不太可能沒有差異吧?제가 봐도 차이가 안날수 없을것 같습니다.. 공정이 틀린대..;;; 16나노랑 14나노랑..以我來看也覺得一定差別存在吧.. 工藝就不一樣了..;;; 16nm跟14nm..另外這篇文章則提到台積電A9並不是使用16FF+技術, 而是更弱後的FF16技術.http://bbs2.ruliweb.daum.net/gaia/do/ruliweb/default/mobile/55/read?bbsId=G003&itemId=8&articleId=1860583TSMC의 A9 공정은 16FF+가 아닙니다.TSMC的A9使用工藝並不是16FF+.

風的感覺

122分

61樓

風的感覺

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文章編號：57650734

新 iPhone 有 6 成採用台積電版 A9、三星佔 4 成，無關晶片尺寸

以上簡單報導可以參考

再從實測的數量占比來看

之前的良率傳聞或許不是空穴來風

台積電的誠信目前為止大部分都經得起考驗

三星的話...只要微笑就可以了

Rayearth

17分

62樓

Rayearth

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文章編號：57650772

owlowlowl0212 wrote:
口袋吉他浪人情歌 w...(恕刪)

端午節聲請世遺、中醫變韓醫⋯總不會是造謠吧？

L.L.S

6分

63樓

L.L.S

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文章編號：57650871

韓國人就是這樣，不意外點點點

管它跑分多少，還不是iphone 順順的點點點

harker633

1244分

64樓

harker633

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文章編號：57650941

Howdy Mate wrote:
還是會有例外的

最近看報導, 蘋果iPhone長期使用高通的通訊晶片

因為這部份沒有人做的比高通還好

所以當供應商的技術領先群雄很多的時候

客戶也沒其他選擇

這跟這個例子不同，不管是三星或是台積電，鎖生產的都是apple 的A9處理器。

通訊晶片有高通也有聯發科，怎麼選只是效能、價格上的取捨。他的詳細規格書就會寫著是用哪家的晶片。今天這一批可以是高通的，也可以因產能或其他因素改用其他加的晶片，跟掛著APPLE A9的CPU是不一樣的概念的，不管哪個廠出的，他都代表著是Apple A9處理器。

meridian

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meridian

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文章編號：57651552

owlowlowl0212 wrote:
20nm 的微縮是 14nm (*0.7)
16nm是小積積獨創的
為了加速上市量產的時程別落後太多
(下一代又回到10nm 否則應該是11nm)
前段poly line只要16nm 後段銅製程完全套用20nm
自然跟正統的14nm有差...(恕刪)

不懂就別亂講ok?
一般講的製程多少nm本來就是指poly(gate)的寬度
contact之後的製程(後段)線本來就寬, 誰會用跟前段一樣的製程去做啊?, 到後段TME這樣的layer, 不要說20nm了, 拿10年前的製程來都可以做

TSMC從以前就跟Intel差異半個世代
Intel在45nm的時候, TSMC做的是40nm
Intel在32nm的時候, TSMC做的是28nm
Intel在22nm的時候, TSMC做的是20nm
Intel在14nm的時候, TSMC做的是16nm
但是在進入1xnm之後連電晶體本身結構都改了, 大家都卡關很久(看看Intel從22轉14卡了4年, 這是以前從未有過的事)
直到最近FinFET的良率提升才得以量產產品
而還沒掌握FinFET結構的晶圓廠都還在2xnm
簡單來說, FinFET世代大家都還是在同一個起跑點, 所以TSMC才會喊下個世代要做N10