英特爾和 ASML 利用世界上最先進的晶片製造工具實現「初光」里程碑
High-NA 工具的 EUV 光源和鏡子正常運行
https://www.tomshardware.com/tech-industry/manufacturing/intel-and-asml-achieve-first-light-milestone-with-worlds-most-advanced-chipmaking-tool-high-na-tools-euv-light-source-and-mirrors-are-functional
根據 路透社報道，ASML 和英特爾本週表示，後者透過打開光源並使光到達晶圓上的光阻，利用 ASML 的 高數值孔徑微影系統實現了一個重要的里程碑。這表示光源和鏡子已正確對齊，這是調出過程中的關鍵步驟。這個「曙光」里程碑表明 Twinscan EXE:5000 系統的主要組件之一已開始運行，但尚未達到峰值性能。
ASML 的Twinscan EXE 高數值孔徑EUV 微影機配備具有0.55 數值孔徑的投影光學元件，單次曝光可實現低至8 奈米的分辨率，低於單次曝光提供13.5 奈米分辨率的典型低數值孔徑EUV系統。第一個系統目前位於荷蘭 Veldhoven 的 ASML 實驗室，第二個系統正在俄勒岡州希爾斯伯勒附近的英特爾工廠組裝。
“從技術上講，這個‘第一道光’實際上是‘晶圓上的第一道光’，”ASML 發言人馬克·阿辛克 (Marc Assinck) 解釋道。“光源已經開始工作，現在我們在晶圓上‘抗蝕’了光子。”
ASML 專家仍在荷蘭校準高數值孔徑工具，因此機器尚未列印第一個測試圖案。
這項進展最初是由英特爾公司的 Ann Kelleher 在加州聖荷西舉行的 SPIE 光刻會議上披露的。英特爾目前正在俄勒岡州希爾斯伯勒附近的工廠組裝其第一台 Twinscan EXE:5000 光刻機。該機器在幾個月後組裝完畢後將主要用於製程開發目的。
在最近的一次測試中，Veldhoven 機器成功地展示了其在用光阻製備的矽晶片上的功能，表明其已準備好進行電路圖案印刷。這項成就被稱為“晶圓上的第一道光”，標誌著高數值孔徑 EUV 微影領域向前邁出了重要一步。
高數值孔徑 EUV 微影技術預計將在未來幾年內被英特爾、三星和台積電等領先晶片製造商採用。英特爾已經表示有意將該系統用於即將推出的基於英特爾 14A 節點的一代晶片。
光源是所有極紫外線 (EUV) 微影工具中最複雜的部分之一。ASML 和 Intel 都未透露 Twinscan EXE 光源的最大效能（瓦數）。
