宅爸看到最好的分析, FYI
jason4922 wrote:
因為問題出在193nm 浸潤式的曝光設備16nm 已經是多重曝光顯影的極限,
14nm 很尷尬的卡在極限的邊緣,而下一代EUV 則直接可以曝光10nm 製程，而14nm 連intel都搞
不好了,唉!哪三星算哪根蔥,連銅製程配方都要IBM買的咖,能搞好嗎?
更厲害的 intel 也是50幾而已,
而且事實上台積的 A9 是降頻率來使用的,它可以跑到 2.0g ,
如果 6s A9 跑 2g 那三星的良率只有可憐的 30%不到.因此現在的 A9才跑奇怪的 1.85ghz .
Good insight !
的確 193 wave length 是罩門, double patterning 勉強撐到 1x Nm
台積先見之明,評估 16 Nm has wider window for mass production
良品恰分布在 DUV capability 內
多數專家們直覺 20 Nm shrink to 14 Nm is the deal,common practice
但 Intel & Samsung 兩家直衝 理論值 14 Nm 都嚐到苦頭了
良率,閘極漏電 殺粉大
路人也覺得 14 Nm is more advance than 16, partially true
頂到曝光機極限,有良品靠運氣,
Litho rework rate 必高到破表,衍生一堆 cross contamination,defect 滿天星
TSMC 果然是量產專家 !
