●80PLUS金牌認證轉換效率
●14公分短機身，全模組化設計，採用白色帶狀線路及白色接頭模組化線材
●提供2個EPS 4+4P接頭，支援高階Intel/AMD處理器及主機板平台
●提供1個12VHPWR插座及1條白色帶狀線路及白色接頭模組化線材，相容ATX 3.0/PCIe 5.0，支援新款顯示卡
●採用主動功率因數修正、半橋諧振及同步整流12V功率級，搭配DC-DC轉換3.3V/5V/-12V，使12V可用功率最大化，並改善各輸出電壓交叉調整率
●12公分散熱風扇於低負載/溫度下停止轉動，負載/溫度提高後採溫控運轉，在散熱效能與靜音中取得平衡
●採用日系105℃電解電容，提供5年保固
RAIJINTEK CRATOS ATX 3.0 1200W輸出接頭數量：
ATX20+4P：1個
EPS 4+4P：2個
12VHPWR：1個
PCIE 6+2P：4個
SATA：8個
大4P：3個
小4P：1個(轉接線)
▼外盒正面有外觀圖、80PLUS金牌認證、5年保固字樣、特色圖示、RAIJINTEK商標、原廠網址、CRATOS系列名稱
▼外盒背面有黑色款及白色款850/1000/1200機種輸出規格表、線組接頭名稱/數量/長度表、保護圖示、RAIJINTEK商標、原廠網址、CRATOS系列名稱、80PLUS金牌認證
▼此面外盒有黑色款及白色款850/1000/1200機種條碼及CRATOS系列名稱
▼此面外盒有條碼、聯絡資訊、原廠網址、安規認證、產地(中國)
▼包裝內容，模組化線組裝在黑色不織布束口袋內，其他還有電源本體、說明書、3×0.824mm²(18AWG) 10A交流電源線、固定螺絲
▼白色外殼尺寸為140mm×150mm×86mm
▼本體兩側外殼其中一面的貼紙印上商標及系列名稱，另一面的貼紙有RAIJINTEK商標、原廠網址、CRATOS名稱、輸出功率、輸入電壓/電流/頻率、各組最大輸出電流/功率、總輸出功率、80PLUS金牌認證、保護圖示、安規認證、產地(中國)、警告訊息
▼黑色散熱風扇的黑色風扇護網從外部固定，中間有商標銘牌
▼本體網狀出風口處設有白色電源總開關及白色交流輸入插座
▼黑色模組化線組輸出插座有名稱標示，左上方有RAIJINTEK商標，右上方有CRATOS名稱，左下方有條碼
▼1條主機板電源白色帶狀模組化線路，提供1個ATX 20+4P接頭，18/22AWG線路長度59公分
▼2條處理器電源白色帶狀模組化線路，提供2個EPS 4+4P接頭，18AWG線路長度65公分
▼3條顯示卡電源白色帶狀模組化線路，提供4個PCIE 6+2P接頭，2條單接頭18AWG線路長度54公分，1條雙接頭至第一個接頭18AWG線路長度64公分，接頭間18AWG線路長度15公分
▼1條12VHPWR白色帶狀模組化線路，接頭標示600W，16/26AWG線路長度60公分
▼12VHPWR接頭內部金屬連接器的樣式如下圖所示
▼2條SATA白色帶狀模組化線路，提供6個直角SATA接頭及2個直式SATA接頭，至第一個接頭18AWG線路長度45公分，接頭間線路長度15公分
▼1條大4P白色帶狀模組化線路，提供3個直式大4P接頭，至第一個接頭18AWG線路長度50公分，接頭間18AWG線路長度15公分。提供1條大4P轉小4P轉接線，18AWG線路長度11公分
▼將所有模組化線路插上的樣子
▼12VHPWR模組化線路插頭連接處近照
▼內部結構及使用元件說明簡表
▼採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振，二次側12V同步整流，並經由DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
▼採用Dongguan Kufan CF-D12025H12M 12公分12V/0.5A風扇，並設置氣流導風片
▼外殼底部黑色隔板於主電路板二次側區域開孔並貼上導熱墊片
▼主電路板背面沒有任何元件，焊點做工良好，於二次側區域加裝金屬板
▼白色交流輸入插座焊點加上2個Y電容(CY1/CY2)及1個X電容(CX1)，X電容底部加上有X電容放電IC的小電路板。磁芯有包覆套管，白色交流輸入插座及白色總開關焊點未包覆套管
▼主電路板上有2個共模電感(CM1/CM2)、1個X電容(CX2)及2個Y電容(CY3/CY4)，2個共模電感外包覆套管，臥式安裝的保險絲及突波吸收器未包覆套管。NTC熱敏電阻用來抑制輸入湧浪電流，電源啟動後會使用繼電器將其短路，去除NTC所造成的功耗損失
▼2個並聯的GBU2008橋式整流器固定在散熱片的兩個面上
▼環狀磁芯APFC電感左側的APFC電容採用2個Rubycon 420V 470µF MXE系列105℃電解電容並聯組成，總容值為940µF
▼一次側散熱片，APFC MOSFET採用2個65R078W TO-247封裝MOSFET，APFC二極體採用CRMicro華潤微電子CRXI10D065G1，一次側MOSFET採用2個武漢芯源半導體CWS60R099BF TO-220F全絕緣封裝MOSFET
▼主電路板正面的虹冠電子CM6500UNX負責APFC電路控制
▼主電路板正面的輔助電源電路一次側整合IC為德普微電子DP2358，二次側整流採用PS1060L二極體
▼1個諧振電感及1個諧振電容組成一次側諧振槽，諧振電感及一次側電流比流器包覆黑色聚酯薄膜膠帶
▼位於諧振電容及一次側電流比流器旁的2個一次側MOSFET隔離驅動IC
▼採用三明治結構搭配二次側板狀繞組的主變壓器
▼主變壓器與散熱片之間有6個Nexperia PSMN1R0-40YLD MOSFET組成二次側12V同步整流電路
▼主電路板正面的虹冠電子CM6901T6X負責12V功率級一次側諧振及二次側同步整流控制
▼二次側區域，左側有輔助電源電路的Nichicon HE系列電解電容，右側有12V的Nichicon HE系列電解電容、YZPST ST/SS系列固態電容及磁芯電感
▼主電路板正面的3.3V/5V DC-DC電路，每組DC-DC電路具備1個Anpec APW7164同步降壓控制器、2個DC3056CX MOSFET及1個封閉磁芯電感(黑色筒狀元件)，周圍有輸入及輸出的YZPST SS/SR系列固態電容
▼主電路板正面角落的-12V DC-DC電路
▼主電路板正面的Grenergy GR8329E電源管理IC，負責監控輸出電壓/電流、接受PS-ON信號控制、產生Power Good信號。左側有Anpec APW9010風扇控制IC
▼模組化插座板背面焊點敷錫增加載流
▼模組化插座板正面，插座之間設置13個YZPST SS/SR系列固態電容，加強輸出濾波/退耦效果
接下來就是上機測試
測試文閱讀方式請參照此篇：電源測試文閱讀小指南
▼110V輸入的空載功耗6.47W
▼110V輸入的20%/50%/100%輸出轉換效率分別為92.59%/92.65%/88.84%，符合80PLUS金牌認證要求20%輸出87%效率、50%輸出90%效率、100%輸出87%效率
▼110V輸入下10%/20%/50%/100%輸出的交流輸入波形(黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)。50%輸出下功率因數為0.9787，符合80PLUS金牌認證要求50%輸出下功率因數需大於0.9的要求
▼220V輸入的空載功耗4.39W
▼220V輸入的20%/50%/100%輸出轉換效率分別為93.88%/94.42%/91.97%
▼220V輸入下10%/20%/50%/100%輸出的交流輸入波形(黃色-電壓，紅色-電流，綠色-功率)
▼110V輸入(藍線)及220V輸入(紅線)的10%/20%/50%/100%輸出轉換效率折線圖
▼110V輸入的綜合輸出負載測試，輸出52%時3.3V/5V電流達16A以後就不再往上加，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼110V輸入下綜合輸出6%至100%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為61.2mV
▼110V輸入下綜合輸出6%至100%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為78.1mV
▼110V輸入下綜合輸出6%至100%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為81mV
▼110V輸入的偏載測試，這時12V維持空載，分別測試3.3V滿載(CL1)、5V滿載(CL2)、3.3V/5V滿載(CL3)的3.3V/5V/12V電壓變化，並無出現超出±5%範圍情形(3.3V：3.135V-3.465V，5V：4.75V-5.25V，12V：11.4V-12.6V)
▼110V輸入的純12V輸出負載測試，這時3.3V/5V維持空載，3.3V/5V/12V電壓記錄如下表
▼110V輸入下純12V輸出5%至101%之間3.3V輸出電壓最高與最低點差異為52.3mV
▼110V輸入下純12V輸出5%至101%之間5V輸出電壓最高與最低點差異為53.3mV
▼110V輸入下純12V輸出5%至101%之間12V輸出電壓最高與最低點差異為66mV
▼110V輸入下12V低輸出轉換效率測試，輸出12V/1A效率61.4%，輸出12V/2A效率74%，輸出12V/3A效率80%，輸出12V/4A效率83.1%
▼110V輸入時電源PS-ON信號啟動後直接3.3V/16A、5V/16A、12V/87A滿載輸出下各電壓上升時間圖，從12V開始上升處當成起點(0.000s)時，12V上升時間13ms，5V上升時間8ms，3.3V上升時間8ms
▼110V輸入時3.3V/16A、5V/16A、12V/87A滿載輸出下斷電的Hold-up time時序圖，從交流中斷處當成起點(0.000s)時，12V於12ms開始出現波動，於23ms降至11.41V(圖片中資料點標籤)
以下波形圖，CH2藍色波形為12V電壓波形，CH3紫色波形為5V電壓波形，CH4綠色波形為3.3V電壓波形
▼110V輸入下輸出無負載時12V有小振幅低頻漣波，輸出12V/2A以上12V漣波波形固定，只改變振幅
▼110V輸入時於3.3V/16A、5V/16A、12V/87A(綜合全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為21.2mV/29.2mV/23.2mV，高頻漣波分別為14mV/26mV/21.6mV
▼110V輸入時於12V/100A(純12V全負載)輸出下，12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為20mV/25.2mV/17.6mV，高頻漣波分別為13.2mV/23.2mV/17.2mV
▼110V輸入下12V啟動動態負載，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度308mV，同時造成5V產生62mV、3.3V產生76mV的變動
▼110V輸入下12V啟動動態負載，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度380mV，同時造成5V產生84mV、3.3V產生82mV的變動
▼110V輸入下12V啟動動態負載，變動範圍10A至80A，維持時間500微秒，最大變動幅度1.22V，同時造成5V產生110mV、3.3V產生98mV的變動
▼110V輸入下12V啟動動態負載，變動範圍20A至100A，維持時間500微秒，最大變動幅度1.06V，同時造成5V產生112mV、3.3V產生98mV的變動
▼110V輸入時電源供應器滿載輸出下內部(上圖)及背面外殼(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼110V輸入時電源供應器滿載輸出下橋式整流/APFC電感/APFC MOSFET(上圖)及APFC DIODE/一次側MOSFET/諧振電感(下圖)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼110V輸入時電源供應器滿載輸出下主變壓器/二次側SR/DC-DC MOSFET的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼110V輸入時單條EPS 4+4P連續輸出28A(336W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼110V輸入時單條PCIE 6+2P(單頭)連續輸出21A(252W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼110V輸入時單條PCIE 6+2P(雙頭)連續輸出21A(252W)10分鐘後的電源端模組化接頭紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
▼用隨附的12VHPWR模組化線材連接MSI GEFORCE RTX 4090 GAMING X TRIO進行測試
▼執行FURMARK 30分鐘後電源端插頭(左上/右上)及顯示卡端插頭(左下/右下)的紅外線熱影像圖(附註：安裝位置環境溫度會影響測試結果)
本體及內部結構心得小結：
○白色14公分短機身全模組化設計，搭配白色交流輸入插座、白色電源總開關及黑色模組化輸出插座，使用白色帶狀線材搭配白色接頭。提供1個ATX 20+4P、2個EPS 4+4P、1個12VHPWR、4個PCIE 6+2P、8個SATA(2個直式，6個直角)、3個直式大4P、1條大4P轉小4P轉接線
○電源端12VHPWR插座的S4/S3接至COM，為600W定義，S2/S1空接(未接到COM或是經上拉電阻接至+3.3V)
○黑色風扇護網安裝在白色外殼的外側，黑色風扇於低負載/低溫下停止運轉，負載/溫度提高後採溫控運轉
○磁芯有包覆套管，交流輸入插座焊點、總開關焊點、保險絲及突波吸收器未包覆套管
○主電路板背面沒有任何元件，焊點做工良好，於二次側區域加裝金屬板，隔板於主電路板二次側區域開孔並貼上導熱墊片，協助將熱量傳導至外殼
○採用一次側主動功率因數修正及半橋諧振、二次側同步整流輸出12V，搭配DC-DC轉換3.3V/5V/-12V
○APFC二極體採用CRMicro華潤微電子，一次側MOSFET採用武漢芯源半導體，二次側12V同步整流採用Nexperia。APFC MOSFET採用TO-247封裝，一次側MOSFET採用TO-220F全絕緣封裝
○APFC電容使用Rubycon，其他電解電容使用Rubycon及Nichicon，固態電容使用YZPST
○二次側電源管理IC可偵測輸出電壓/電流是否在正常範圍，並加裝風扇控制用IC
各項測試結果簡單總結：
○110V輸入的20%/50%/100%輸出轉換效率分別為92.59%/92.65%/88.84%，滿足80PLUS金牌認證要求
○110V輸入的功率因數修正，滿足80PLUS金牌認證要求
○220V輸入的20%/50%/100%輸出轉換效率分別為93.88%/94.42%/91.97%
○110V輸入的偏載測試，12V維持空載，測試3.3V滿載、5V滿載、3.3V/5V滿載的3.3V/5V/12V電壓變化，均未超出±5%範圍
○110V輸入下電源啟動至綜合全負載輸出狀態，12V上升時間13ms，5V上升時間8ms，3.3V上升時間8ms
○110V輸入下綜合全負載輸出狀態切斷AC輸入模擬電力中斷，12V於12ms開始出現波動，於23ms降至11.41V
○110V輸入下輸出無負載時12V有小振幅低頻漣波，輸出12V/2A以上12V漣波波形固定，只改變振幅。於綜合全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為21.2mV/29.2mV/23.2mV；於純12V全負載輸出下12V/5V/3.3V各路低頻漣波分別為20mV/25.2mV/17.6mV
○110V輸入下12V動態負載測試，變動範圍5A至25A，維持時間500微秒，最大變動幅度308mV
○110V輸入下12V動態負載測試，變動範圍25A至50A，維持時間500微秒，最大變動幅度380mV
○110V輸入下12V動態負載測試，變動範圍10A至80A，維持時間500微秒，最大變動幅度1.22V
○110V輸入下12V動態負載測試，變動範圍20A至100A，維持時間500微秒，最大變動幅度1.06V
○110V輸入時熱機下3.3V過電流截止點31A(155%)，5V過電流截止點29A(145%)
報告完畢，謝謝收看
