已經買QLC了，有必要換TLC嗎?

5386分

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文章編號：87024056

我剛好跟你相反...
我系統碟是用 Micron Crucial P5 Plus 500G M.2 PCIe SSD~
遊戲和部份程式安裝在D磁碟,WD 黑標 1TB 機械硬碟!
主機板上還有一個支援 M.2 PCIe SSD 3.0 的插槽...
所以有在考慮添購 Micron Crucial P3 1TB M.2 PCIe Gen3 SSD!

目前也是注意到 QLC 顆粒問題!
但...似乎沒有部份討論裡提到的那樣不堪~
壽命方面,QLC與TLC似乎相當哩...

不過暫時還不會入手!
因為還有一台螢幕在等著入手...
只是因為想買的雙螢幕支架缺貨中~
所以螢幕繼續排隊!!

唉...錢不夠用就是麻煩~ 笑到噴淚

⚠ 歡迎理性討論,若想打嘴砲,恕我不奉陪,請善用黑名單,你若不加我,那就是我加你...

諸葛小花

系統碟話你要把他寫死也是厲害啦我系統碟平均一年寫入15T左右

諸葛小花

220T給我用也要足足當14.5年系統碟才會寫完TBW的220T

jack1357

649分

12樓

jack1357

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文章編號：87047605

don0123 wrote:
電腦已經裝QLC了，那還有必要改成TLC嗎?或是加裝TLC?(還有M.2空槽)

3個月前不懂買了QLC
後來每天爬文，看到菜單有QLC的都會被嫌臭

顯然你在選購零組件時，都沒先看一下＂規格＂，所以你應該也不知道
Crucial P3 Plus SSD 1TB 的耐用度是220TBW(總寫入數據量)
你預計要購買的_美光 Crucial P5 Plus 1TB/M.2 PCIe Gen4/讀:6600M/寫:5000M/TLC/五年保*捷元代理商公司貨耐用度多少??查過嗎??答案是600TBW
查過金士頓和威剛的嗎??740TBW-1000TBW(1T版本)，讀寫也都不輸P5，價格也便宜許多。。
譬如
ADATA LEGEND 850 1TB/Gen4 2280/讀:5000M/寫:4500M/五年保/贈散熱片, $2188 （耐用度1000TBW)
金士頓KC3000 1TB/Gen4 PCIe*4/讀:7000/寫:6000/TLC~加送LED三合一充電線~, $2780↘$2550（耐用度800TBW)

說真的，PC零組件除了處理器外，台企台製才是最佳選擇，實用又便宜，PC零組件，台灣若謙稱第二，那個國家敢稱第一??

手上還有二支480G Kingston HyperX Predator PCIe SSD
MLC顆粒
讀取速度：1400MB/Sec，寫入速度：1000MB/Sec
TBW_882TB

220TBW耐用度，對大部份的一般使用者來說，用個三五年不成問題，不過對於視頻剪輯轉檔輸出者來說，會有大量的寫入，可能就不太行了！

SSD規格除了顆粒外，主控、DRAM 的有無以及 NAND Flash 的來源，也是很重要的......特別是主控，市面上有不少小廠是中國貼牌的，主控真是差到不行（甚至顆粒還有回收品)，經常會發生讀取不到資料而當機的慘事...

因為你來，山谷已把相思打開，打開相思，就是連山的艷陽季節，愛與前途都變得明朗清楚。

vivic224

3203分

13樓

vivic224

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文章編號：87077631

don0123 wrote:
先直接問重點電腦已經...(恕刪)

QLC寫多了會早點壞而已
如果買的容量很大
不是常常寫入量大的話就盡管用
寫入量大的話，我還是會買TLC大容量來用，避免太早壽命到造成困擾

Howdy Mate

1396分

14樓

Howdy Mate

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文章編號：87112490

QLC抹寫次數雖然不及TLC

但也夠一般家庭用的了

記得自動同步重要檔案到雲端備份

就不太會有事情

ufal0071

35分

15樓

ufal0071

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文章編號：87182000

1. 基本上系統是能放TLC就不要放QLC,能MLC就不要TLC...
2. 因壽命的長短關鍵會在裡面放了多大的"快取"(壽命長很大一部分理應是看裡面DRAM+SLC或再加MLC..有多大與其能力),就像大容量硬碟一樣,內部會將短期常用的先放到快取,等不常用或檔案過大(超過快取大小),才會直接放到QLC或TLC.....壽命能存多大量應是限制在特定檔案大小*寫入次數與時間去訂-跟快取有很大關係.
另
SLC=single cell 1 bit ,也就是只負責存0,1=跟DRAM一樣,一顆電晶體只負責1 bit(有存電,沒電)
MLC=single cell 2 bit,也就是負責00,01,10,11=一顆電晶體負責2 bit(用離子植入在poly層做濃度分層,讓電晶體能存3種電壓...TLC/QLC/PLC應都是同一招,更多層存更多,但實體電晶體數量不變,變相容量倍增,但代價在使用頻繁度也會倍增,壽命倍減)
TLC=single cell 3 bit,也就是負責000,001...110,111=一顆電晶體負責3 bit
QLC=single cell 4 bit,也就是負責0000,0001...1110,1111=一顆電晶體負責4 bit,實體電晶體數量是容量的1/4
PLC就變5 bit...之後應也以此類推6,7,8....

(因flash是電晶體給比讀高的電壓做抹除與再寫入,電荷會被高電壓硬吸或排去貫穿進出電晶體下的氧化層,壞掉就是看穿越次數的量把氧化層穿爛而存的電荷會開始漏,所以次數會有限! 但存的bit數越多=寫入次數越多=壽命越短=實體電晶體數量也可以越少=成本就可以更低

由於flash寫入與抹除都相對讀慢一大截,加上負責bit數高而頻繁度會導致超快死,故不可能會沒快取直接讓QLC上.
...故相同製程下,其實"速度"與"壽命"關鍵其實會在使用的快取種類與其大小,主要根本不在QLC容量
(過往有人在測大檔案看掉速去推估快取大小) ,至於壽命能寫幾TB...(這應是限制在每次檔案固定只能多大,其實主要是"快取"與QLC一起掛去計算出來的,但真實使用會在快取耐寫能力上!
而理論值....基本上是先用少量的製程電晶體以超高電壓測那層氧化層能撐幾毫秒去算出來,有可能曾真的用次數去測過少量電晶體看曲線大部分會落在多少次而決定之後就只用崩潰方式,
但這1. 並不代表全部電晶體特性都如此,
2. 也不代表就算真崩潰電壓時間是那樣也一定是能那次數!
就像DRAM也是用一樣的崩潰電壓方式去算壽命能不能過20年限,雖一條DRAM也不會有人真用20年
且真全都能20年不壞? 是嗎?

主要在當出現速度感到不正常或硬碟檢測出異常時, TLC會因寫入頻繁度較QLC低而更讓人有時間去備份,進而較少資料救不回來且容量也不會一次死太多! ...

若真要QLC做系統,會建議要使用測硬碟的軟體(能測出有無使用到替補容量的). 只要是存資料的,其實都會刻意多做一部份容量(redundancy),當出現少量損壞時,內部會轉用那塊容量去補足,但已代表有可能要開始出狀況,當然也有可能只是剛好出廠有些電晶體體質不佳而已,但也是警訊!

至於為何要多做? .... 怎可能幾億顆電晶體製造過程中全都不出問題? 主要是拿來給出問題就用fuse去關掉問題區再挪備用去補足正常量(出廠已挪多少一般軟體是測不出來的),而就算普通硬碟也是一樣作法! 至於有多少...這就每家不同且補的方式也不同且非一顆挪一顆,是壞一顆挪一整塊,能挪得塊數每家不同且總量也不同!