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看這麼多回文，幾乎沒什麼人回到重點。
intel 545s和SU800 通通都是3D TLC
TLC 天生的特性，
在寫入檔大小超過快取後速度會急降，
這應該都是常識了吧。
一般TLC在標明讀寫效能時都指的是在最理想的狀況，
檔案放在快取中效益最大時候的速度。
尤其最小容量的SSD，因為自身內建的快取就小，
只要給大一點的檔案很容易就把快取寫爆，
之後資料會直接寫入TLC本身，便會看到TLC的原始速度。
在128G 的545S 上面尤其明顯（這型號快取只有0.5G），
所以一般建議買這支最好都是從256GB起跳，
有能力的話最好一口氣上到512GB為最佳。
這也是為什麼大多數545S的業配或是介紹文，
基本都是從512GB起跳，因為這型號的測試速率最穩定，
也最適合用於各式檔案大小的測試。
Adata 的SU800 是用美光的3DTLC顆粒，
好像給人感覺效能比intel 545s的3DTLC好，
原因在它有開啟一種動態SLC的快取技術，
可以自行改變TLC的運作模式，
暫時形成可變動的SLC區塊來做讀取的緩衝區，
你的資料是直接寫進SLC這區塊裡，
因應不同的檔案大小和SSD內部的剩餘容量
動態的SLC組態能些微的調整，
以獲得較長時間和較足夠的SLC快取空間，
測試時的數據也是資料寫入SLC時的速度，
這時測試出來的成績特別好看。
這種動態SLC技術，其實就跟samsung用在
860EVO的TurboWrite快取技術，
基本上是異曲同工。
但是廠商沒跟你們講的實話是，這種SLC的快取技術，
本身會壓縮到TLC顆粒的使用壽命，
假如TLC NAND的體質和製程不是特別好，
那你的這顆SSD會特別短命。
所以SU800的做法，只不過是拿自己的命去換速度罷了，
值不值得，見人見智，只是別拿這點拚命打545s痛腳，
545s本身就沒做這種技術，並不是罪過，
只是不懂的人，拚命黑它罵他爛，這是非常偏頗的講法。
samsung 他們家向來NAND的體質都特別好，
即便他開啟turbowrite的SLC快取技術，
都還比台面其它家TLC正常使用下的壽命還來的長。
他官方標示的TLC 保證寫入量不特別高，
是因為官方標示的非常保守，實質上samsung的TLC NAND特別耐寫，
可不是什麼美光的TLC能比的上的。（當然主控晶片也有很大的影響）
寫到這裡，不是信口開河，要證明就拿出來給你。
俄文也不是什麼問題，chrome全網頁翻譯，八成都看的懂。
https://3dnews.ru/938764/page-3.html
這裡有大多主流SSD型號的寫入耐壓測試，前幾段就找的到SU800 256G，
官方宣稱的TBW為200TB，但壓力測試時寫到176TB，整顆SSD就掛掉了…
而且寫入量到150T的時候，smart 上監控到的讀寫錯誤越來越多，
這顆是評論中耐用性最差的SSD，沒有之一。
我絕對相信跟它不成熟的動態SLC技術造成壽命減少有關。
而且評論還說SU800所買的這批美光TLC顆粒，
體質也不是太好，應該是批便宜貨。
再看看intel 545S 256G，
官宣TBW為144TB，寫入耐壓測試到2334TB時才整顆掛掉，
而且545S跟大多的廠家相比，在低延遲的表現上很優秀。
拿sata消費型的旗艦產品samsung的860EVO 250G來做一下對照，
官宣 150TBW，壓力測試出來到3004TB，
整整是官宣的20倍，
samsung為什麼SSD都敢開別人不敢開的價？
因為它真的有本事！
同樣256G的SU800 我相信速度還是比256G的545S快，
但是壽命545s是SU800的 2334/176，超過 13倍。
所以棄545s 去選SU800的人，真的不要這麼傻啊，
自己還很高興，實質上不過買了一批很便宜的牛肉。
至於還有一些搞不清楚狀況的人，
拿MLC顆粒（例如 Plextor M5P）來跟545S TLC比速度的，
你們覺得明朝的劍可以斬清朝的官嗎？
下面附上545S 128G 多人測試出來上傳的資料：
https://ssd.userbenchmark.com/SpeedTest/372338/INTEL-SSDSC2KW128G8
多人平均出來的資料，連續寫入速度，平均值約182 MB/S，
這個便是資料直接寫入TLC的原始速度。
再查到256G時的寫入速度，就可以平均到389 MB/S
這已經很前段班的水準了。
128G 的實測成績不怎麼樣，跟他本身容量小，
天生快取的限制較大有關係，
並不是intel 545S 爛，被你們黑到莫名奇妙。
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