longyeekimo wrote:
我特別查了一下S59...(恕刪)
我對S599做IOMETER測試的時候,因為IOMETER會把磁區填滿所以一測就是衰退過的速度@@
可是不用iometer就不知道用啥了
當時對SSD瞭解太太少很可惜,這測試很多不足
http://www.mobile01.com/topicdetail.php?f=490&t=1671567&p=2
longyeekimo wrote:
wear leveling的定義是將block erase count 平均化.並不是清除data喔. 也沒wear leveling table,一般稱Erase count. Erase count是指Block被erase的次數.)
thx wrote:
NAND Flash Memory的同1個page不能做重覆寫入的行為。再者,在寫入1個sector資料之前,必須要有抹除1個Block的資料才能做寫入的動作,但抹除 1個Block的動作需要耗費相當多的時間,此舉造成了NAND Flash效能下降的最大原因。為了改善效能,最有效的方法就是減少Erase的次數,因此有了Mapping Table
pcking wrote:
不知道您要說的是不是拖累 randon 的時間是 program time 而不是 erase..
longyeekimo wrote:
Mapping table是這樣來的沒錯.但原因不完全在減少Erase的次數.減少Erase次數只是附加效果.
那省了什麼? 答案就在一開始的分析裡.
省了..program 的次數?
不知道我有沒有猜錯?
漫步蔚藍晴空下 wrote:
1 個 block ...(恕刪)