英特爾7nm相當於台積電3nm？

peggydoggy

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peggydoggy

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恁爸昧爽 wrote:
ＩＢＭ的１４奈米比台積電的５奈米還強，當然功耗和發熱可能不好看就是了。

聊工艺密度？台积电的5nm在格罗方德的14nmSOI面前，哭得像个孩子

只有白癡才會相信這種農場標題農場文。GF的14nm跟三星買來的，然後GF其實也開發不下去7nm就宣布不開發了，三星14nm就密度來說是比TSMC 16nm高一點沒錯，但是功耗與溫度表現從iPhone 6S時大家都想用TSMC生產的A9就知道TSMC並沒有輸。結果這農場文拿GF 14nm來嗆TSMC 5nm，感覺就像中國的武術大師在嗆徐曉冬一樣好笑。

baby51763

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baby51763

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peggydoggy wrote:
只有白癡才會相信這種(恕刪)

什麼都是假的去嗆什麼都是真的 ^++^

eclair_lave

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eclair_lave

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peggydoggy wrote:
只有白癡才會相信這種(恕刪)

那張圖之所以出現ibm/gf 14nm edram得最主要原因，應該要追朔到2014年IEDM
那天下午有一場Session 3：Advanced CMOS Technology Platform

tsmc.intel.ibm等都有出席演講

tsmc應該是首先開講得，主要是16nm FinFET得改進版(第二代 FinFET)，SRAM單元尺寸為0.07μm2

intel後續演講得也是自家定位第二代得14nm FinFET，SRAM單元尺寸為0.0588μm2

ibm則發表了基於SOI 得另類FinFET，可是舉例得卻不是SRAM，而是自家產品上使用得eDRAM，單元尺寸官方公佈為0.0174μm2

eDRAM與SRAM之間的優劣或專利其實還蠻複雜得，一般比較簡易得說明只有說eDRAM生產步驟較複雜，跟配置上需要相關配套，及生產成本較高，但有小體積跟其他得驅動優勢

蚵仔麵線好吃

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eclair_lave wrote:

那張圖之所以出現...(恕刪)

一般來說電路設計layout不同，密度也不一樣，所以Intel習慣用SRAM來表示製程的進步

然後各家都用SRAM來比

不然張飛打岳飛，沒得比

不然的話，光Intel內部有HP與HD兩種設計,高效與高密度,兩種電晶體的密度就差很多～

SOI wafer貴的很, 所以Intel/台積電才會用FinFET加Bulk Si製程

我學生時代用過SOI
一片4吋wafer， prime級約1千台幣，SOI一片都一萬起跳⋯

好喘好累

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好喘好累

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老夫一拳可以直上太空將月球打碎.

可是, 還要練上幾年才行, 大家可以先膜拜膜拜, 屆時會有好果子給吃.

cchsieh

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cchsieh

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rgly wrote:
此外，全世界對中國禁運晶圓生產設備，中芯頂多只能做出具有中國特色的7nm。

太寫實也太好笑了

Nightmareseal

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Nightmareseal

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peggydoggy wrote:
只有白癡才會相信這種(恕刪)

而且啦,為了打三星的14nm電晶體密度,gg後來還推出了12nm
12nm才算gg最初想做的14nm好嗎??

更別提當年iphone 6S,三星的14nm晶片實質效能跑分輸給gg 16nm的事情......

peggydoggy

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peggydoggy

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Nightmareseal wrote:
而且啦,為了打三星的14nm電晶體密度,gg後來還推出了12nm
12nm才算gg最初想做的14nm好嗎??

更別提當年iphone 6S,三星的14nm晶片實質效能跑分輸給gg 16nm的事情......

TSMC跟三星的A9跑分其實差不多，分數互有勝負，算是誤差值以內，但是溫度跟功耗就有差別了，有人放著不斷跑程式燒機，三星的就是比較早沒電，後來A10、A11、A12、A13蘋果就再也沒找過三星了。

而高通去找三星生產SoC除了賺到便宜，功耗表現也是不好，去年又回頭找TSMC了，除非三星或Intel找到什麼技術可以彎道超車，不然TSMC這五年肯定還是領先群雄啊！