SMHLIN wrote:
不過英特磊的股票磨人...(恕刪)
我的建議是你可能要區分長期跟短期業務的發展,就你所提到的幾個題材,目前光達等等都仍在早期研發階段,接收端跟發射端分別是一個APD的客戶以及一個1300nm的VCSEL美國客戶在cover。
若是用車用來看,車用的營收除了過往的毫米波防撞雷達外,現在又多加入了V2X的即時通訊的PA,這部分會是用砷化鎵Phemt或InP HBT去做,但新東西的量看來還不大。
基於法說,6個月內可以看到的營收來源基本上是: 砷化鎵phemt用於IoT通訊、砷化鎵VCSEL用於資料中心高速傳輸、磷化銦(APD、PIN、HBT)用於5G基建通訊及光感測接受端元件、以及銻化鎵用於F35、最後是兩台機台的出售。
值得注意的是,中國客戶的VCSEL需求看起來非常的熱,公司提到今年會比去年多,而明年的量會比今年多非常多,因此也確立了明年的成長動能。
另外,GaN二次生長業務可以在年底帶入營收,也是令人驚豔的進展。這部分法說提到客戶驗證會非常快,而且這些磊晶需求都是客戶來找公司提需求的。明年GaN會是一個值得關注的重點,新舊廠總共有24部機台(新廠16台+舊廠8台)的空間,等自製機台出來我想會在這方面有更多的突破。這次法說也有人問了自製機台減少資本支出的幅度,公司提到自製的機台在效能上完全可以和riber 等外部公司的機台相提並論,而在成本上可以節省50%的開支,我認為這對接下來擴充GaN產能也會有很好的幫助。
單看今年的話,今天法說也講了,看美金的話15-25%的全年營收成長在手訂單是可以支持的。所有今年重點不在缺題材,而是在公司的執行力還有公司所在市場的恢復。
SMHLIN wrote:
最近讀了這些文章, (恕刪)
工研院那個可視化系統是將MOCVD的熱流場跟氣流場視覺化,而不是磊晶過程中的磊晶本身。英特磊或MBE的in situ 監控則是直接可以看到磊晶的原子堆疊過程。
這次法說靳副總有提到,英特磊在氮化鎵這塊的目標是未來打算要用MBE做到12吋,這件事有優勢的原因我認為主要原因還是在缺陷密度的降低。當你用MOCVD做一塊較高缺陷密度的氮化鎵磊晶時,小片(4-6吋)還有可能透過控制熱流或氣流場等方式去調整而達到堪用的地步,當你要做到稍微大片(8吋 or 直徑200mm)或許有些人可以成功,但拉高到12吋也就是直徑300mm時,氣流跟溫度的均勻控制就不再那麼那麼容易,這樣生長環境下的磊晶幾乎片片都是壞片。當然你拿兩個製程做的同一尺寸相比時,均勻度當然是重要的比較基準,但我認為均勻度的比較還是在兩種方式產出磊晶的缺陷密度皆低於一個值之下才需要討論的事情。
做到12吋的好處主要有兩個方面,第一個就是和矽晶圓從8吋提高到12吋一樣可以降低總體元件的生產成本,這是很自然的事情。第二個方面則是考慮到目前絕大多數的矽晶圓廠(台積電、聯電等)都是12吋為主,八吋晶圓廠的產能基本上是不敷使用的,全球的晶圓廠也很少會繼續投資8吋設備的擴廠。也因此為了讓這些晶圓廠能利用GaN-on-Si去做更大量的消費性產品並降低不同元件之間整合封裝的難度,提供穩定高品質的大尺寸GaN-on-Si磊晶絕對是正確的努力方向,這方面的實際操作就如同前段所說需要透過即時的RHEED監測、IVWorks提供的分析模型以及透過精準參雜降低缺陷的磊晶製程,而這三件事都是MBE才能做到的。
至於做到12吋是否是和IQE比較,我倒不認為這麼的明確,第一個原因是IQE的GaN可能量產的部分也都還是MOCVD為主,而第二個原因是做GaN的廠商很多,IQE的能力也未必是最好的。就我來看,我倒認為這些透過MBE製程所帶來的種種優勢,會是IET-KY的氮化鎵產品和其他氮化鎵產品的「差異化」來源,而在我看來「差異化就是最好的競爭力」,無論是接面生長的製程或是往12吋去發展氮化鎵磊晶,最終都是希望有客戶會願意因為你的特殊性帶來的價值而青睞你的產品,並減少遇上同業削價競爭的經營風險。
如果是消費性產品, 廠商自然是成本考量, 如果是高端產品就是品質第一, 所以GaN目前在提升長晶速度方面已經提升到MOCVD的60%,如果量再增, Substrate價格下降,以及之前提的機台增加, 有可能會先在GaN市場先搶得商機。
相信這一部分的機台轉換及各項產品的產能安排,經營團隊會有規劃,後續再看看機台增加數量會不會再增加, 作為營運動能是否成長的參考。
以這次高博說美金計價的話, 20%可以達成,照這數據, 今年有可能逼近或超過3塊,明年VESCL再增加,會有更上層樓的可能性, 尤其公司在德州,員工皆已接種疫苗,使得受疫情影響的不確定因素下降,整體而言, 只要各廠商及政府繼續進行高端產品的研發及投資, 目前的股價應該是非常甜蜜的。除非台股受到不理性的下殺,那個正是撿便宜的好機會。
以上是個人不負責任的樂觀預期
F-22沒有未來,美國空軍將以第六代戰機NGAD為次世代主力https://technews.tw/2021/05/20/us-air-force-will-reduce-their-fighter-platforms-to-5/
重點是後半段這一段,F-35數量會增加到目前10倍。
目前在銻化鎵方面,新市場機會是商用的氣體偵測,及盟國之間的DEFENSE產品也在研發,想請教一下A大,對於銻化鎵方面如下
1. 雖然公司強調新的及大的機台有較優異的穩定性表徵,品質較IQE好, 但是為什麼只是SECOND SUPPLIER??
2. 一般從開發到驗證結束的時程約多久??
3. 如果像矽利康大所提的F35產量增高, 向對於IET的應收可以增加多少, 另外, 其他DEFENSE產品(如直升機更換、其他夜視系統的應用...等等)是不是有進一步的消息, 如果A大有掌握還請分享下。
謝謝喔!!
大家平安!!
SMHLIN wrote:
關於銻化鎵的問題,上(恕刪)
F35從現在到未來增加十倍的數量是既定的採購目標,就我理解還並沒有多的採購計畫(但我對軍武的採購案變化並不是那麼熟,若有認知錯誤請不吝更正)。不過對公司來說差異都不大,看GaSb/InSb的生意不能只看F35,因為英特磊只是個FPA供應商,相當於是Sony供應CIS感測元件給眾手機品牌商的鏡頭模組供應上的相對關係。
就總體空軍的發展計劃而言,第六代戰機跟第五代用途不同,捨棄F22後空軍似乎想做的是一個縮減版的4.5代戰機,性能不要像F35那麼多但製造問題少而且不那麼貴。但就像我前段說的,這些規畫都跟公司不見得有牴觸,公司是紅外感測磊晶片供應商,只要有使用到這類夜視偵蒐的戰機未來都會導入較便宜的35族夜視鏡頭,而公司就會有生意上的增長。
順便附上我在洛馬影片中截下的圖,也許就是F35使用的單顆鏡頭使用到的感測元件的die的尺寸:
其他生意上的機會除了氣體偵測外是民用的量大產品外,我相信未來遇到資本市場開始吵太空題材時你也會發現英特磊在這方面著墨不少,目前我估計目前還是在一些極機密的國防應用上,大概也不方便在法說上說太多。
F35對公司而言比較重要的問題是Ramp Up的速度,目前因為其他部分的製程速度不夠快造成Lockheed每年生產速度跟不上理論上的交機進度,但就這個項目而言各國的預算案都已經按照進度在審批通過,英特磊的生意就是擺在那邊,會是一門長遠的生意。半年之內,GaSb的生意我相信生意加總就是在總體營收的~20%,除非雷神、洛馬或是氣體偵測廠商開始有大幅度的突破,這個數字才會往上走。估計半年後,雷神的製程有所突破的話,我相信他們不會甘願這個GaSb夜視產品的產線只能生產給F35這個產品之用,一定會想要將過往其他國防武器使用的26族夜視產品全數替換,把這門生意做大,但那就是後話。總之,我相信卡的不是在磊晶這端,而國防部那邊規劃的市場也已經到來,我相信目前重點是在製程廠的突破上,或許還有相關read out晶片的普及。
公司是second supplier的原因除了IQE在這方面的研發提早了許多年在進行外,另外的原因是IQE收購了市面上全部的antimonide基板供應商包括Gallaxy Compound Semiconductor等。這也是為什麼你去看英特磊的技術發展過程中公司不停強調antimonide的拉晶與基板的製作是由廠內自己研發並自我供應,在磊晶這行業如果你的基板供應或品質被競爭對手控制的話基本上就不用玩了,因此antimonide基板的自製這點你可以說是公司的劣勢也可以說是優勢,端看你怎麼解讀。當然,我不確定這門生意上IQE和IET的差距是不是就是在基板品質上,不過我相信公司能打入這麼高端的供應鏈而且在諸多更先進的太空項目上都有參與,這個品質差距基本上就是在伯仲之間。在磊晶上公司的approach是大機台,而IQE是小機台(附帶一提這樣的差異我猜測也會呈現在GaN和IVworks各自開發的製程上,公司會負責大機台的氮化鎵研發而IVWorks會持續做小的,因為就這點上全世界掌握MBE量產技術的公司就是IET一家,IQE在機台上著墨也不多而IET就是持續往可以跟MOCVD批敵的MBE量產機台的方向去鑽研),然而實際上大小機台製程對GaSb品質的差異我也沒有研究,僅知道差異在這而已。在和IQE的比較上,我相信公司不會去claim說他們勝過IQE的地方是在GaSb,我估計英特磊品質勝過IQE甚至其他磊晶廠的領域我相信是在磷化銦產品上,這部分包括高速的磷化銦PIN、高頻的HBT以及APD,砷化鎵高速或長波VCSEL我相信也有獨到之處。
基本上我相信公司的發展是一個很long-term的過程,但不代表成長緩慢,像今年的營收或獲利成長我相信數字開始會很漂亮很顯著,提供資訊主要是想讓其他投資人能關注技術實質跟市場變化,我相信這些討論會增加大家在投資上進行長期投資的信心。
關閉廣告