IET-KY (4971) (英特磊):世界唯二的MBE高端磊晶廠

Jssun01 wrote:
提供參考...inte4627...(恕刪)


謝謝提供
fenn1024 wrote:
謝謝提供(恕刪)
感覺3月在受雪災影響下,有5000萬還不差。
glenho wrote:
感覺3月在受雪災影響(恕刪)


同意您的看法,三月在部分機台提前歲修的情況下,營收有5000萬是符合預期的。按照先前經驗,提早歲修通常是為了迎接旺季的作法,在HBT及PIN美日客戶訂單都在手的情況下,四月開始逐月營收會顯著成長。

機台部分會是今年的關切重點,進廠與出廠都是。出廠部分公司法說會說得蠻清楚,而進廠部分,如同前幾位朋友提到的新聞,Riber的8000機台已經送達,由於是目前最大的量產型(multi-wafer)MBE機台,在組裝完成後VCSEL的生產會更有效率、均勻度也更好,而從這方面也可以感覺到VCSEL客戶在訂單的未來需求上有給出不錯的展望,公司這幾年很多的資本開支也都是往這個方向走。除了從供應商購買機台外,今年也會有第一台公司自己設計的MBE機台會進到公司,這樣的做法除了很直覺地降低降低買進機台的資本開支外,同時也代表公司將突破Riber 每年MBE機台供應數量的瓶頸,而增加擴充產能的彈性。更重要的是,由於公司是用等離子體+氨氣的方式(hybrid)生長氮化鎵磊晶,未來轉移到大量生產的機台時,機台的腔體與相關構件的搭配將大幅影響氮化鎵磊晶的生產速度與品質,而這部分磊晶廠商若能自行設計會是最好的。

事實上,同樣機台改造的問題在MOCVD廠商身上也會看見,若參考2021年1月發表的一篇討論目前MOCVD生產GaN on Si所產生的品質問題的論文,其首先提到現在氮化鎵磊晶製成的主要問題是MOCVD生長溫度太高而造成產出的GaN-on-Si磊晶有非常多的缺陷,其在解決之道中提到一種很大的可能性是,MBE機台若能提高plasma source的濃度,其生產速度將能與MOCVD相抗衡,同時因為生產溫度本身就低而能提供MOCVD無法企及的磊晶品質,這個作法已經被證實可行。而MOCVD未來也可以透過改造生產機台以盡可能地降低生長GaN的要求溫度。因此,在這個互相爭鋒的階段,有能力自行調整磊晶機台的廠商就能取得先機。論文摘要如下,有興趣多了解的話可以自行下載來研究,也可以直接搜MBE+HDRS看看回顧性的論文:

asiguo wrote:
法說剛結束,提供一些(恕刪)


感覺還是太樂觀了...
公司歷經掉單、疫情、車用復甦被晶片產能卡住、雪災... 誰知道後續還有啥藉口或倒楣事...

所有利多都沒有反應在營收上,公司的預估也好幾年沒有真正達標或超標了。當然經營公司是一件辛苦事,也不能說管理階層沒誠信,就只是剛好是處於波動極大、脆弱的產業而已,產能調度與需求規模和議價能力缺乏優勢。去年我已經預估獲利和股價會很慘,不要把資金浪費在這檔,沒想到比我想的還要更慘... 去年到最近大行情,投入其他趨勢股都翻幾倍了... 5G和車用整體產業某些進展比想像的還要緩慢,產業上有些問題的確要下半年才會轉好,但還是不能太樂觀,我是覺得等到時營收真的轉好再介入也不遲。看股價就知道投資者的信心還是沒有恢復,持續疲軟。

氮化鎵、生物感測那個都還太早,PA題材也一樣,大咖的資金要等時機成熟才會進場。投資不能沒有機會成本的觀念... 你可以想像一下若在其他檔先賺到更多錢,你就能有更多資金來投資這檔... 老實說如果這檔是在美股,可能去年年中年底之後那波ark、科技股、毛票股的資金狂潮下,題材這麼多(5G, 電動車, 生物感測...),早就被炒到好幾倍,但既然在台股就只好遵循市場的玩法...
Asiguo大大,不知道對Riber的投資想法如何?如果MBE在未來有機會突破一定瓶頸,需求大增,是不是佈局Riber也蠻合理的?

Riber感覺營運策略朝耗材去發展,現有全世界約MBE機台700+,數量只會多不會少,研發機構居多。耗材持續提供營收,再加上評價也不貴,持股集中,營收穩穩地成長,再加上之後MBE 8000開始收費,似乎就算MBE不爆大量,也不會虧,如果MBE爆大量,他也會先噴。
BallerX wrote:
Asiguo大大,不(恕刪)


老實說我對上游機台沒甚麼研究,不過MBE機台的供應除了Riber外還有Veeco,可能您需要多衡量比較的地方。又從高總的說法來看,這些廠商都存在供應的瓶頸,因此成長性可能是堪慮的。耗材的部分,或許是一個考慮的點,但實際對成長性的影響需要被考慮 。
https://webcache.googleusercontent.com/search?q=cache:C8poTSUZXeIJ:https://jobs.rtx.com/job/mckinney/production-chief-engineer-eodas/4679/4244343920+&cd=10&hl=en&ct=clnk&gl=tw

從Raytheon最新的人事職缺來看,生產F-35紅外感測器的德州工廠已進入大量量產階段。
上次法說公司有提到GaN的開發方向是直接往GaN-on-Si挑戰,由於SiC基板取得困難,直接挑戰Si基板的GaN我認為是完全正確的做法。GaN-on-SiC和GaN-on-Si相比,除了SiC基板較貴(一片6吋基板大概要8萬台幣)之外,Si基板的使用也能提高與其他積體電路的整合能力,更進一步地降低產品體積跟異質整合的成本。

目前英特磊的商用化方向是讓GaN業界能利用公司的MBE量產能力去做到大量具有低阻值regrown ohmic contact/schottky contact的GaN-on-Si磊晶。極低阻值的接面將助於提高GaN-on-Si的應用頻段,並且減少漏電流,讓功率表現更好(better 2DEG),讓更高頻的射頻應用包括航天、太空、國防(例如最近很熱的AESA雷達)都有機會導入GaN-on-Si,過往這些超高頻段應用即便使用了GaN也大多是較昂貴的GaN-on-SiC的天下。

就contact的再生長這個事情來說,其實已經是很成熟的技術,目前論文看來一致都認為使用MBE來做再生長是能達到遠比MOCVD更低阻值,我想這也是為什麼公司會認為從這方面切入是最快能獲得營收的原因,這是MBE能提供絕對優勢的利基業務而且這麼做暫時免去了從頭生長GaN磊晶的種種困難(但不代表公司沒打算從頭生長,和IVworks的合作以及機台的自製就是為了更大量的生產,這部分應用我猜測是在高電壓的車用功率元件)。

可以參考: http://www.semiconductor-today.com/news_items/2018/sep/cornell_060918.shtml

此外,公司長期合作的客戶中包括Qorvo、Raytheon、UMS都是航空及國防GaN領域的龍頭,而且這些客戶的GaN業務已經有穩定成長的營收,產品導入的時程也很明確,我想單純從產品成本降低而提升產品競爭力的角度看來,這些公司絕對會對公司幾個月後提出的磊晶生長服務有很大的興趣。
關閉廣告
文章分享
評分
評分
複製連結
請輸入您要前往的頁數(1 ~ 51)

今日熱門文章 網友點擊推薦!