事實上,同樣機台改造的問題在MOCVD廠商身上也會看見,若參考2021年1月發表的一篇討論目前MOCVD生產GaN on Si所產生的品質問題的論文,其首先提到現在氮化鎵磊晶製成的主要問題是MOCVD生長溫度太高而造成產出的GaN-on-Si磊晶有非常多的缺陷,其在解決之道中提到一種很大的可能性是,MBE機台若能提高plasma source的濃度,其生產速度將能與MOCVD相抗衡,同時因為生產溫度本身就低而能提供MOCVD無法企及的磊晶品質,這個作法已經被證實可行。而MOCVD未來也可以透過改造生產機台以盡可能地降低生長GaN的要求溫度。因此,在這個互相爭鋒的階段,有能力自行調整磊晶機台的廠商就能取得先機。論文摘要如下,有興趣多了解的話可以自行下載來研究,也可以直接搜MBE+HDRS看看回顧性的論文: